可是出于对众神的不信任，国内芬尼尔要求众神中的一位将手臂放在它的口中作为担保，保证如果芬尼尔挣脱不开束缚，众神会为它解开。

因此，首艘通过器件结构设计，如何提升该异质结在零偏压下的光伏电流具有非常重要的研究意义。竞赛（d）栅极电压为零时器件的光响应度与偏置电压的关系。

基于该机制构建的多层MoS2/h-BN/Graphene光电探测器在零偏压下具有很高的光电转换效率（外量子效率超过80％），原型较高的明暗电流比（超过1000）和较高的探测度（基于白噪声的理论特定探测度为5.9 × 1014琼斯，原型 实际环境中测量的特定探测度为6.7 ×1010琼斯）。通过将原子级薄的六方氮化硼（h-BN）膜引入二硫化钼/石墨烯界面，动力零偏压下MoS2/Graphene界面处的层间载流子复合可以被有效阻挡，动力而光生空穴则通过量子隧穿实现层间传输。入射光能量均为2.32μW，郑首波长为532nm）。

国内此类通过界面修饰提高光伏效应的方法为基于石墨烯的自供电光电探测的应用提供了新的器件设计方案。图4对零偏压附近光生空穴主宰的隧穿光电流的电学表征（a）黑暗条件下MoS2/h-BN/graphene器件在不同栅极电压（Vg）下的差分电阻（b）光照条件下MoS2/h-BN/graphene器件在不同栅极电压（Vg）下的差分电阻（入射光功率：首艘32μW，首艘波长：532nm）（c）Vg=-60V时的净光电流。

【图文简介】图1 MoS2/h-BN/Graphene器件的制备过程及拉曼光谱表征（a）MoS2/h-BN/Graphene异质结器件的制备过程（b）MoS2/h-BN/Graphene异质结器件示意图（c）Graphene和h-bn/Graphene异质结的拉曼特征光谱图2MoS2/h-BN/graphene器件与MoS2/graphene光电二极管的性能对比与能带分析（a，竞赛b）MoS2 /graphene光电二极管和MoS2/h-BN/graphene器件在黑暗和光照下的IDS-VDS传输曲线的对数图（插图显示相应的线性图。

文章链接：原型RestoringthePhotovoltaicEffectinGraphene-basedvanderWaalsHeterojunctionstowardsSelf-PoweredHigh-DetectivityPhotodetectors (Nano Energy 2019https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2018.12.004. )本文由材料人香港中文大学许建斌教授课题组供稿，原型编辑部编辑。不过狗睡觉的时候鼻子都是干的，动力醒来就该是湿的了。

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